射频磁控溅射法成长Cu-Al-O薄膜的特性分析

作者：王春艳

来源：粉末冶金工业, 2020, 30(01): 42-45.

DOI：10.13228/j.boyuan.issn1006-6543.20190011

• p型透明导电氧化物薄膜
• Cu-Al-O薄膜
• 射频磁控溅射
• Al含量
• 晶体结构
• 光电特性

本文以Cu靶和Al靶为靶材,在Al靶上粘贴不同数量的Cu片控制Cu/Al比例,利用射频磁控溅射法在玻璃基板上沉积Cu-Al-O薄膜;通过WDS、XRD、XPS、四点探针、霍尔效应及UV-vis光谱等分析Al含量对薄膜成分、晶体结构以及光电特性的影响。结果表明,薄膜中Al含量随Cu片数量增多由0增至19.35%;薄膜的晶体结构随着Al含量增加,由CuO相转变为非晶态;电阻率随着Al含量增加,由0.49Ω·cm增至11.78Ω·cm;Cu-Al-O薄膜为p型导电;可见光透射率随Al含量增加由19.98%增加至74.11%,光学能隙由2.09 eV增至2.88 eV。

• 单位
  承德石油高等专科学校