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摘要
以氨苄青霉素钠为模板分子,邻苯二胺为功能单体,利用电聚合法在金电极表面形成聚邻苯二胺膜,经0.5 mol/L NaOH-乙醇混合溶液(VNaOH∶V乙醇=4∶1)将模板分子洗脱,制得氨苄青霉素钠分子印迹传感器。以K3Fe(CN)6为探针,建立了氨苄青霉素钠的间接测定方法,并利用循环伏安法和方波伏安法对传感器的电化学性能进行评价。该传感器的方波伏安峰电流变化值与氨苄青霉素钠浓度在1.0×10-69.0×10-6mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为6.4×10-7mol/L。
- 单位
以氨苄青霉素钠为模板分子,邻苯二胺为功能单体,利用电聚合法在金电极表面形成聚邻苯二胺膜,经0.5 mol/L NaOH-乙醇混合溶液(VNaOH∶V乙醇=4∶1)将模板分子洗脱,制得氨苄青霉素钠分子印迹传感器。以K3Fe(CN)6为探针,建立了氨苄青霉素钠的间接测定方法,并利用循环伏安法和方波伏安法对传感器的电化学性能进行评价。该传感器的方波伏安峰电流变化值与氨苄青霉素钠浓度在1.0×10-69.0×10-6mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为6.4×10-7mol/L。
