Al-Cu-Mg合金S相及S/α相界面价电子结构分析

作者：屈华; 徐巧至; 刘伟东; 齐健学

来源：稀有金属材料与工程, 2020, 49(11): 3816-3821.

• Al-Cu-Mg合金
• S相
• 相界面
• 价电子结构
• 电子密度差

基于EET理论,计算了α-Al与S相及S/α相界面的价电子结构,分析了S相价电子结构与析出强化、S/α相界面价电子结构与界面性能的关系。研究表明:S相共价键分布较为均匀,Cu原子将S相原子间键合力最强的4条共价键连接在一起构成主键络。S相析出强化的微观本质在于其最强共价键的键合力比基体α-Al的大135.14%,对位错运动具有较强的阻力作用。S相与基体α-Al形成的(100)S//(100)α和(010)S//(0■2)α及(001)S//(021)α面的共价电子密度差?ρ分别为0.003%、3.564%和5.811%,(100)S//(100)α面上的共价电子密度为10.3915和10.3918nm-2,(010)S//(0■2)α面上的共价电子密度为0.0486和0.0469 nm-2,(001)S//(021)α面上的共价电子密度为0.0486和0.0459 nm-2。与(001)S//(021)α和(010)S//(0■2)α面相比,(100)S//(100)α面的原子键合力与共价电子密度均最大,共价电子密度差最小,界面连续性最好,界面的应力最小。

• 单位
  辽宁工业大学