本发明公开了一种Z型InGaN/Cu-2O纳米柱异质结的制备方法与应用。Z型InGaN/Cu-2O纳米柱异质结包括衬底、生长在衬底上的InGaN纳米柱和沉积在InGaN纳米柱上的Cu-2O。本发明采用一种成本低、工艺简单的方法制备了Z型能带排列的InGaN纳米柱异质结。该异质结制作光电极可用于无偏压光电催化水分解制氢,无需外部能量的输入,大大提高了产氢成本,对于大规模氢能源生产意义重大。
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