本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件,器件包括衬底、异质结材料、Fin结构,以及栅金属,所述异质结材料设置在衬底上表面,Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin,栅金属设置在Fin结构上表面且采用T型结构。本发明在Fin-HEMT器件中加入了T型栅结构,能够有效提高沿栅电流传导方向的栅金属截面积,同时由于电流主要在T型栅金属的上层传导,有效的降低了Fin-HEMT器件的实际栅金属长度,有效减小栅极分布寄生电阻,提高器件的微波性能。
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