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摘要
近年来,随着半导体技术的飞快发展,以及材料生长技术的突破,氮化镓(GaN)作为第三代半导体,已逐渐显示出其优势,二维电子气密度大和饱和电子迁移率高等,基于氮化镓(GaN)的研究也越来越多。在通信、雷达等微波领域,对微波功率器件的性能要求也越来越高,基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)的微波功率器件正在成为研究热点。 本文就是在此研究背景下对AlGaN/GaN异质结微波功率器件的材料制备以及器件工艺进行了阐述,对GaN功率器件的基本特性,包括:直流特性,电流崩塌,击穿电压等进行了分析和表征。在此基础上着重对氮化镓(GaN)功率器件的微波特性测试进行了介绍,这其中包括:在片测试、分离器件测试...
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