一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件

作者：侯佳力; 胡毅; 贺俊敏; 王源^*

来源：微电子学, 2022, 52(01): 91-97.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210312

• 静电放电
• 硅控整流器
• 维持电压
• 闩锁

针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾，设计了一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构。相比于常规SCR结构，首先，通过移动阳极/阴极的N+/P+掺杂区引入辅助泄放器件，MEWSCR结构实现了二次触发，增加了维持电压；其次，通过在阳极P+区和阴极N+区下方分别嵌入N浅阱和P浅阱，增强非平衡载流子的SRH复合作用，降低SCR的再生反馈效应，提高了维持电流。基于0.18μm BCD工艺，采用TCAD软件进行模拟。结果表明，新型MEWSCR器件的维持电压提升至23 V,维持电流提升1 A以上，满足ESD设计窗口要求。

• 单位
  北京大学; 北京智芯微电子科技有限公司