本实用新型公开了一种基于核壳结构GaN-MoO3纳米柱的自供电紫外探测器。所述自供电紫外探测器包括衬底、生长在衬底上的GaN纳米柱阵列、包覆在GaN纳米柱阵列上的MoO3纳米晶、包覆在MoO3纳米晶上的第一金属电极、设在GaN纳米柱阵列底端未覆盖MoO3纳米晶处的第二金属电极。本实用新型生长核壳结构GaN-MoO3纳米柱的方法,利用了GaN-MoO3异质结的PV效应,制备了自供电紫外探测器,极大程度减小了器件的尺寸体积,对光电集成器件应用前景重大。