Si/C/N纳米微波吸收剂的制备

作者：刘晓魁; 周万城; 罗发; 朱冬梅

来源：稀有金属材料与工程, 2006, (07): 1135-1138.

• 化学气相沉积
• Si/C/N纳米粉体
• 微波介电性能
• 吸波机理 CVD
• nano-sized Si/C/N powder
• microwave permittivity
• absorbing mechanism

采用化学气相沉积方法,在1200℃~1600℃温度范围内,于不同的NH3流量条件下,合成了Si/C/N纳米粉体,研究了粉体的制备工艺、成分、相组成与其微波介电性能之间的关系。结果表明:NH3流量增加,粉体中N含量升高,随着合成温度的提高,粉体的晶化程度增强,主要为β-SiC相。在SiC晶格中固溶有N原子,且N原子的固溶量随合成温度升高而减少。Si/C/N纳米粉体中SiC微晶含量,以及SiC微晶中固溶的N原子浓度对粉体的ε′,ε″和损耗因子tgδ(ε″/ε′)起着重要作用。N原子固溶所导致的极化驰豫损耗和漏导损耗是Si/C/N纳米粉体具有吸波性能的主要机理。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学