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摘要
GaN晶体管相对于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件有更小的导通电阻和栅电荷,在高速、高功率密度应用中独具优势。高速高能效电平转换器作为高侧栅极驱动的关键模块,主要决定高侧通道的传输延迟。但在高频应用中,电平转换器由于其传输延迟较大、功耗大及抗共模瞬态抑制(CMTI)能力弱等原因已不再适用。此处首先重点分析电平转换器存在的主要问题以及在高压应用下的不适用性,然后针对高压应用描述了几种替代电平转换器结构的隔离驱动结构并着重分析了数字隔离器的工作原理。数字隔离器由于其寄生电容小、传输延迟小以及抗共模噪声干扰能力强等优异的特性能够很好地满足高压的应用需求。
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