射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜

作者：陈城钊; 邱胜桦; 刘翠青; 吴燕丹; 李平; 余楚迎; 林璇英

来源：功能材料, 2008, 39(5): 848-850.

DOI：10.3321/j.issn:1001-9731.2008.05.043

• 纳米晶硅薄膜
• RF-PECVD
• 生长速率

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133～266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜.薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10-3～104/Ω·cm.红外吸收谱显示,薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键,随晶化率的提高,Si-H键也逐渐消失.

• 单位
  韩山师范学院; 汕头大学