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摘要
通过在底栅顶接触的喷墨打印有机薄膜晶体管的Si O2表面采用原子层沉积方式制备薄层的Al2O3修饰层,并与未修饰前进行比较,发现有源层在ALD-Al2O3修饰后的Si O2表面接触角大大变小,且喷墨打印的有源层线条变粗。而随着ALD-Al2O3修饰层厚度的增加,Si O2表面粗糙度变大。通过测试其电学性能,发现ALD-Al2O3修饰层厚度为1 nm时,OTFT的性能最好,与未修饰前相比,其迁移率提高了近8倍,而开关比提高约4个数量级。
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单位福建工程学院; 福州大学
