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摘要
本发明公开了一种通过界面补偿消除柔性集成器件残余应力的方法。所述方法为：(1)通过氧气等离子处理衬底,提高衬底分子键合能力,实现PI与缓冲层的高粘附性；(2)利用沉积速率较温和的等离子体增强化学气相沉积制备SiO-x/SiN-x叠层薄膜,作为PI缓冲层、栅绝缘层和钝化层；SiO-x/SiN-x叠层薄膜与铜合金残余应力种类相反,可以相互补偿抵消,减少残余应力；(3)铜合金电极在高温退火后,微量掺杂的CrZr被排出晶格,在半导体/电极界面处与铟锌反应吸收能量,可以将部分界面残余应力的机械能转化为化学能,可以进一步消除残余应力。本发明所提出的工艺路径可以从制备器件的源头消除残余应力,是一种行之有效的方法。
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