反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析

作者：刘书焕; 郭晓强; 李达; 林东生; 江新标; 朱广宁; 陈伟; 张伟; 周辉; 邵贝贝; 李君利

来源：核技术, 2008, (09): 745-749.

• SiGe HBT
• 瞬态辐射效应
• 反应堆
• 退火

本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10~(13)cm-2的脉冲中子注量和257Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%。辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小。初步分析了SiGeHBT瞬态中子、γ辐射损伤机理。

• 单位
  清华大学; 西北核技术研究所