InSb(111)A面腐蚀坑成因分析

作者：吴卿; 巩锋; 陈元瑞; 侯晓敏; 崔健维

来源：激光与红外, 2014, 44(09): 1011-1013.

• InSb
• 腐蚀坑
• 位错
• 损伤层

采用光学显微镜和光学轮廓仪分析了InSb晶片(111)A面经特定腐蚀剂腐蚀后出现的两种特征腐蚀坑,并通过多次腐蚀试验观察了这两种腐蚀坑形貌的演变。从理论上对腐蚀坑形貌的成因进行了分析,结果显示1类特征腐蚀坑的成因是由于晶片固有的位错缺陷,2类特征腐蚀坑可能是由于晶片表面存在一定深度的损伤层引起的。

• 单位
  华北光电技术研究所