(NH_4)_2S硫化后ZnS/InP界面的电学特性

作者：庄春泉; 汤英文; 黄杨程; 吕衍秋; 龚海梅

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2005, (10): 1945-1948.

• InP
• ZnS
• 硫化
• MIS二极管 InP
• sulfur passivation
• MIS diode

在(NH4)2S硫化后的n-型InP衬底上热蒸发ZnS薄膜制得Au/ZnS/InP(100)MIS器件,测得了其IV特性曲线以及3MHz下的高频CV曲线和100Hz下的准静态CV曲线.从这些曲线得到如下结果:正向饱和电流为7×10-13A;ZnS钝化下经硫化的n-型InP表面的固定电荷密度为-2.28×1011/cm2;禁带中的最低表面态密度约为1×1012cm-2·eV-1.上述结果表明经硫化后的ZnS/InP界面具有良好的界面特性.

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所