选择性穿透阳极氧化工艺的三维铝封装技术研究

作者：王立春; 刘米丰; 吴伟伟; 罗燕; 任卫朋

来源：电子元件与材料, 2016, (12): 61-66.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.12.014

• 微系统
• 三维铝封装
• 固态存储器
• 阳极氧化
• 灌封
• 激光刻蚀 microsystems
• 3D aluminum packaging
• solid state memory
• anodization
• encapsulating
• laser ablation

针对微系统高可靠集成需求,提出了一种三维铝封装集成微系统多功能器件的结构和方法。通过铝基板选择性穿透阳极氧化试验、低应力低空洞灌封试验和激光侧边电路刻蚀试验,实现了32 G固态存储器集成。研究结果表明,通过致密性氧化可实现内埋布线氧化终点的控制,采用阶梯式固化可降低灌封应力,优化的激光参数可获得侧边电路互连。首批试制固态存储器读写性成品率达73%,与同类3D-plus存储器相比,体积减少约55%,质量减轻约40%。

• 单位
  上海航天电子通讯设备研究所