NLDMOS器件性能优化及分析

作者：李维杰; 王兴; 王云峰; 李洋; 孟丽华

来源：半导体光电, 2020, 41(01): 99-140.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.021

• NLDMOS
• 击穿电压
• 比导通电阻
• 离子注入
• 快速热退火

提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程,通过在NLDMOS的共源处增加一道离子注入,引出衬底电荷,以优化NLDMOS器件的击穿电压(Vb)与比导通电阻(Rsp)。选择不同的注入离子浓度与快速热退火时间,研究了器件的Vb与Rsp变化。由于离子激活效率不足,单纯增加20%的注入离子浓度,器件的耐压性能提升极小,采用增加20%注入离子浓度结合延长20s快速热退火时间的方法,NLDMOS器件的Vb提高约2.7%,同时Rsp仅增加0.9%左右。

• 单位
  中国科学院大学; 中芯国际集成电路制造有限公司