1.3μm高速直调半导体激光器

作者：夏施君; 许博蕊; 徐鹏飞; 包帅; 王任凡; 朱尧; 李伟; 祝宁华

来源：光学学报, 2022, 42(16): 161-167.

DOI：10.3788/AOS202242.1614001

• 激光器
• 1.3μm直调激光器
• 宽带宽
• 大功率
• 低阈值

设计一种基于AlGaInAs材料的1.3μm高速直调半导体激光器，该激光器采用脊波导、长度较短的腔和11个5 nm厚度的多量子阱结合30 nm厚度的缓变折射率分别限制异质结结构（GRIN-SCH），实现了低阈值、宽带宽和较大功率的光输出。采用均匀光栅和不对称腔面镀膜的方式实现了稳定的单纵模输出。最终制得的1.3μm高速直调半导体激光器，在室温下，阈值电流为7.5 mA,3 dB小信号调制带宽可达25 GHz，大信号背靠背传输速率可达40 Gb/s，斜率效率为0.35 mW/mA，最大输出功率约为39 mW，边模抑制比可达40 dB。

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学; 集成光电子学国家重点实验室