摘要
本论文分两部分,第一部分系统研究了一维硫属化合物纳米材料的可控合成、表征、掺杂、合金化以及相关的硫属化合物基一维纳米器件(NANO device)的制备、性能测量与分析。内容主要包括:(1)利用氢辅助热蒸发法制备Cd0.9Mn0.1S纳米带、PbS纳米棒阵列;单晶外延生长CdE (E=Se, S)纳米线阵列;利用硫化法制备CdS_XSe_(1-X)三元合金纳米带;并对上述一维纳米材料进行了详细的结构表征和光学性能研究。(2)采用微加工技术在硅基底上制备单根CdS_XSe_(1-X)三元合金化合物纳米带场效应管,详细研究了CdS0.25Se0.75纳米带的电输运性能。(3)讨论了CdE纳米阵列作...
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