拉曼光谱法测定单晶硅片中的应力分布

作者：史宏伟; 崔飞鹏; 李晓鹏; 赵迎^*

来源：金属功能材料, 2022, 29(04): 37-42.

DOI：10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.20210109

• 显微拉曼光谱
• 单晶硅
• 应力

随着半导体器件行业对单晶硅片尤其是超薄单晶硅片的需求愈来愈大，单晶硅的制备工艺及品质表征愈发受到研究人员的关注。残余应力作为影响单晶硅片品质的重要指标，缺乏合适的表征方法和设备。基于显微拉曼光谱技术，建立单晶硅片相对应力表征方法。对不同样品进行了微区相对应力表征分析，结果表明：针对明显光学缺陷的样品，拉曼表征结果与显微光学成像相对一致。针对显微光学无明显缺陷的样品，基于拉曼光谱技术相对应力表征方法可作为显微光学表征的补充手段。该方法可为单晶硅片的加工工艺改进和提高质量控制提供判断依据。