外延生长的SrTiO_3/DyScO_3薄膜的微结构研究

作者：翟章印; 吴小山

来源：淮阴师范学院学报(自然科学版), 2009, 8(02): 128-130+134.

DOI：10.16119/j.cnki.issn1671-6876.2009.02.017

• 激光分子束外延
• 热膨胀系数
• 位错
• 生长模式 laser MBE
• thermal expansion coefficient
• dislocation
• grown model

利用激光分子束外延技术在DyScO3(DSO)衬底上异质外延生长了SrTiO3(STO)薄膜.采用原位X射线衍射方法在20~300 K范围内测量了低温下薄膜的热膨胀系数;讨论了应变与晶格失配之间的关系.薄膜的晶格参数在80 K的异常变化可能预示着结构相变的存在.高分辨X射线衍射用来分析样品中存在的两种位错:剪切位错和螺旋位错.结果显示,总的螺旋位错密度要比剪切位错密度大得多.我们认为螺旋位错是样品生长过程中的主要缺陷;剪切位错密度随着样品厚度的增加而增加.这两种位错密度之间的比例关系决定了薄膜的生长模式.

• 单位
  南京大学; 淮阴师范学院