摘要
近年来,基于薄膜铌酸锂(TFLN)平台的高性能电光调制器以其小体积、低能量损耗等特点受到广泛关注.本文提出了一种新的具有垂直电极结构的Y波导铌酸锂薄膜电光调制器.研究了调制器的半波电压与缓冲层厚度之间的关系,优化了Y波导的设计参数,最后设计得到插入损耗<5 dB,半波电压<1.5 V的高性能调制器.本文不仅为基于TFLN平台的小型化波导的设计和实现提供了思路,而且为制造高性能和多功能的电光调制器提供了实验依据.
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单位集成光电子学国家重点实验室; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学