非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法

作者：李国强; 王海燕; 杨为家

来源：2016-10-31, 中国, ZL201610932149.2.

本发明属于LED材料的技术领域,公开了非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法。所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO2衬底,生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层,生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列。本发明生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能,提高了载流子的辐射复合效率,可大幅度提高氮化物器件的发光效率。

• 单位
  华南理工大学