摘要
设计了一种双宽带毫米波低噪声放大器。该低噪声放大器可通过射频开关对无源电感重新配置,使其可以分别工作在中心频率为28 GHz和32 GHz的频段下,适用于5G毫米波通信。该可重构低噪声放大器基于55 nm CMOS工艺设计。后仿真结果表明,该可重构低噪声放大器在控制电压(Vs)为0 V的情况下,在中心频率为28 GHz时,增益为23 dB,输入1 dB压缩点为-5.4 dBm;在-3 dB带宽26.1~32.2 GHz(6.1 GHz)内,噪声系数为4.1~4.4 dB;在Vs为1.2 V的情况下,在中心频率变为32 GHz时,增益为20 dB,输入1 dB压缩点为-7.5 dBm;在-3 dB带宽28~34 GHz(6 GHz)内,噪声系数为4.4~4.7 dB。芯片面积为0.70×0.55 mm2,在1.2 V的电源电压下功耗为25.2 mW。