摘要
该研究采用"开始-准备-目标探测"范式,利用事件相关电位技术初步探讨了不同预警时间下目标刺激出现后的脑内时程动态变化。结果发现:首先,在目标刺激出现后的200 ms左右,短ISI(400 ms)和长ISI(1000 ms)在大脑的顶枕部两侧均诱发了明显的识别电位,并且长ISI(1000 ms)下RP的潜伏期显著的快于短ISI(400 ms)下RP的潜伏期,可能反应了ISI为1000 ms下对目标刺激的快速识别;随后,300500 ms内,在头皮的大部分区域,长ISI(1000 ms)比短ISI(400 ms)诱发了一个更正的P3成分,可能表明长ISI下被试需要付出更多的认知资源用于接下来的快速反应。
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