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摘要
本发明属于深紫外激光退火领域,公开了一种利用深紫外激光对氧化物半导体薄膜进行退火的方法。该方法包括以下步骤：在玻璃基板上制备非晶氧化物半导体薄膜,然后将薄膜平放在样品台上,设定激光器透镜与薄膜样品间的最小距离、设定激光光速的移动速度、光束移动的横向重叠率纵向间距,然后用激光光束进行横向连续扫描,直至作用完所有区域。本发明通过深紫外激光在薄膜上连续扫描,使薄膜的表面形貌,物理性质和光学特性得到改善,且提高了光透射率,同时激光处理使STO的光学带隙增大。与传统的高温热处理相比有高能量,处理范围可选择,时间短,能耗低等优点,作用完整片10×10mm的样品只需要1.98s。
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