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摘要
为开发新型保护膜系和光学系统的防霉设计提供数据支撑，了解Ge镀增透膜层在黑曲霉环境下的腐蚀行为，有助于提高红外窗口材料的环境适应性。通过霉菌加速试验，采用荧光显微镜、扫描电镜、X射线光电子能谱等，研究黑曲霉菌对Ge镀增透膜层样品的腐蚀行为及影响规律。黑曲霉菌为产酸型微生物，在稳定期时，它的生物量最高，细胞代谢产物的积累达到高峰，在对数生长阶段，由其引起的生长环境p H值变化显著，增加了环境的酸度；黑曲霉菌初始以Ge镀增透膜层样品表层吸附的碳元素为营养粘附于样品表面，并在样品表面大量繁殖，消耗样品表层的碳含量，随着黑曲霉菌的大量繁殖，样品表面的pH值也随之降低，样品表面的金属元素被氧化，开始逐步溶解，Ge镀增透膜层样品表层的锗元素、锌元素相继被剥离，参与反应后，样品的表层形貌被破坏严重，形成了大量的腐蚀坑。黑曲霉菌对Ge镀增透膜层的腐蚀行为以点蚀方式为主，它的生长代谢作用促进Ge镀增透膜层的腐蚀。
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单位云南北方光电仪器有限公司
