一种提高抗过载能力的圆片级真空封装

作者:赵永祺; 石云波*; 赵思晗; 焦静静; 李飞; 王彦林
来源:微纳电子技术, 2018, 55(11): 844-848.
DOI:10.13250/j.cnki.wndz.2018.11.011

摘要

为提高现有的MEMS高量程压阻式加速度传感器的抗过载能力,优化设计了一种新型圆片级封装结构。通过在敏感结构上增加防护层阻挡质量块位移来减小悬臂梁根部应力,从而防止其断裂,提高了传感器的抗过载和循环使用的能力。针对这一封装设计了一种后释放悬臂梁的加工工艺,减小了封装对悬臂梁的影响,通过抛光和阳极键合工艺实现真空封装,仿真分析封装前后传感器的固有频率和等效应力。结果表明该封装对加速度计的固有频率基本无影响,而抗过载能力提高了两倍以上,说明所设计的圆片级封装结构可以有效提高该类加速度传感器的抗过载能力。

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