硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光

作者：董泰阁; 黄伟其; 黄忠梅; 王刚; 苗信建; 吕泉; 刘世荣; 秦朝建

来源：强激光与粒子束, 2015, 27(07): 203-208.

• 光致发光
• 电致发光
• 调节波长
• Si-Yb量子级联

用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光(PL)和电致发光(EL)的动力学机理进行了研究。观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm附近尖锐的强发光峰,结合第一性原理计算认为是硅镱键合在弯曲纳米硅表面的局域态发光;利用纳秒脉冲激光沉积技术(PLD)制备多晶硅薄膜,发现由硅镱界面的失配形成表面的突触,其上的硅镱键合产生带隙中的电子局域态,该局域态发光分布在12501650nm波长范围,有增强的EL发光;用PLD方法制备硅镱多层膜量子级联结构,测量到光通信窗口的多个发光峰,并观察到随膜层数增加且发光峰增多。

• 单位
  中国科学院; 贵州大学; 复旦大学