典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究

作者：楼建设; 蔡楠; 王佳; 刘伟鑫; 吾勤之

来源：核技术, 2012, (06): 428-433.

• VDMOSFET
• 单粒子烧毁
• 单粒子栅穿
• 电离总剂量效应

利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和SEGR效应以及VDMOSFET漏源击穿电压对电离总剂量效应比较敏感,空间应用时需重点考虑VDMOSFET的抗SEB和SEGR能力;考核VDMOSFET的抗电离总剂量效应能力时对阈值电压和击穿电压等敏感参数应重点关注。