科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种嵌入式间接加热型Ge-Sb-Te基相变射频开关及其制备方法,所述的射频相变开关的加热电极嵌入衬底上表面,后依次沉积隔热层、Ge-Sb-Te基相变层和射频传输层,每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现,其中Ge-Sb-Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现,嵌入式加热电极通过反应离子刻蚀工艺和电子束蒸发工艺结合来实现。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关的加热方式是嵌入式间接加热,通过使用更厚、更低电阻的加热电极降低了所需的驱动电压,以低制造成本实现了高性能,同时增加了整体器件的平整度和可靠性。
- 单位
