单根一维TiO_2纳米线的电子输运性能

作者：孙岚; 左娟; 赖跃坤; 聂茶庚; 林昌健

来源：Acta Physico - Chimica Sinica, 2007, 23(10): 1603-1606.

• 单根一维纳米线
• TiO2
• 电子输运性能
• I-V曲线 Individual nanowire in one dimension
• TiO2
• Electrical transport property
• I-V curve

采用电化学诱导溶胶-凝胶法,在多孔氧化铝模板(AAO)的纳米孔道内制备了直径分别为60和20nm的锐钛矿型TiO2纳米线阵列.利用原子力显微镜(AFM)技术,在半接触模式下得到了TiO2纳米线的形貌像,在接触模式下测量了单根TiO2纳米线的I-V曲线.TiO2纳米线的电子输运性能表现为半导体的性质.TiO2纳米线的导通电压值明显小于TiO2块体,并且随着TiO2纳米线直径的减小,导通电压值增大.

• 单位
  化学化工学院; 固体表面物理化学国家重点实验室; 厦门大学