SiC MOSFET与Si IGBT器件温度敏感电参数对比研究

作者：俞恒裕; 王俊; 江希; 陈建军

来源：电源学报, 2020, 18(04): 28-37.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.28

• SiC MOSFET
• Si IGBT
• 温度敏感电参数
• 结温提取
• 可靠性

功率半导体器件结温是反映器件健康状态的关键指标。目前被认为具有前景的在线实时结温提取方案是基于器件本身的温度敏感电参数TSEPs(temperature sensitive electrical parameters)法,对于Si IGBT器件温敏电参数的在线实时结温提取方法国内外已有大量文献报道,但对于宽禁带SiC器件研究甚少,且对于不同种温敏电参数的特性差异分析极为必要。因此,提出针对不同温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT上的对比分析。首先对SiC MOSFET的静态和动态温敏电参数进行理论建模分析获取结温敏感依据,后续通过实验多维度对比分析温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT的适用性。最后就各温敏电参数的提取电路设计进行分析对比。实验结果表明,通态电阻Ron和开通di/dt更适合于SiC MOSFET,而VTH、td-off和VGP更适合于Si IGBT。

• 单位
  湖南大学