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摘要
本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法,该器件包括：衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层以及栅电极。衬底上方通过热蒸镀的方法形成固定高度的源漏电极,所述源漏电极上方通过旋涂的方式先后涂有半导体层以及绝缘层,最后通过掩膜板在器件的沟道位置镀上栅电极。本发明通过改变半导体溶液的浓度以及旋涂的转速,获得了与源漏电极高度相匹配的半导体层厚度,以保证底接触结构的有机晶体管最大的电极电荷注入面积,同时在不影响器件的迁移率的情况下,最小化器件的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。本发明不仅优化了有机薄膜晶体管的电学参数,同时可以降低半导体材料的使用成本。
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