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摘要
准确的SiC MOSFET SPICE模型在产品仿真、研发和检测等领域会发挥重要作用。介绍了一种SiC MOSFET建模方法，通过自动拟合与考虑物理意义的图形化修正技术相结合，完成了对CPM3-0900-0010A型号元件的SiC MOSFET SPICE模型建立和修正。建立的模型特性曲线与产品参数手册提供的实测曲线良好贴合。建模过程中产生的关键参数和产品参数手册提供的参数更加符合，提高了仿真模型的严谨性和准确性。建立的模型经过与实际测试的对比，拟合效果较好，可以为含有SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据，为更准确地评估SiC MOSFET的性能和系统特性提供支持。
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