基于低功函数阳极金属的低开启电压GaN微波二极管及制备方法

作者：张进成; 党魁; 周弘; 张涛; 张苇杭; 宁静; 郝跃

来源：2019-10-15, 中国, ZL201910976638.1.

本发明公开了一种基于低功函数阳极金属的低开启电压GaN微波二极管及制备方法,主要解决GaN微波二极管开启电压较大的问题。本发明的器件是在AlGaN/GaN外延片上进行,该外延片自下而上为衬底(1)、外延缓冲层(2)、GaN沟道层(3)和AlGaN势垒层(4),在沟道层及势垒层上设有圆形凹槽(5),凹槽的外围势垒层上设有环形阴极(6),AlGaN势垒层上凹槽及阴极以外区域设有介质(7),凹槽的底部、侧壁以及凹槽边缘介质上设有阳极(8),阳极采用低功函数金属Mo或W与金属Au叠层。本发明可以显著降低GaN微波二极管开启电压,提高器件性能,可广泛应用于微波整流和微波限幅。

• 单位
  西安电子科技大学