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摘要
本发明公开了一种超大规模集成电路工艺的后道互连寄生电容电阻的建模方法,互连技术文档(ITF)是表征晶体管制备过程中工艺波动的文件,包含不同金属层数、不同线宽、不同间距和不同密度条件下的厚度尺寸与线宽尺寸等波动因素。该方法在提取后道寄生电容的波动参数部分,结合Raphael工具仿真数据与晶圆测试中值,通过StarRC工具校准提取出电容相关厚度与线宽尺寸波动参数。在提取后道寄生电阻的波动参数部分,将在寄生电容提取过程中得到的厚度与线宽尺寸波动代入到寄生电阻的提取中,然后对电阻的电阻率值进行计算、校准拟合。结果显示,本发明对于后道电容电阻的波动尺寸因素实现了一致性匹配,有效降低了后道电容电阻的StarRC抽取值与晶圆测试中值的误差。
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