基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法

作者:李贺龙; 韩亮亮; 张满; 于浪浪; 王澳; 赵爽; 杨之青; 丁立健
来源:2022-09-16, 中国, ZL202211129647.5.

摘要

本发明公开了一种基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法,包括:充电电路,浪涌电流产生电路、测量器件电路、放电电路和驱动电路组成,其中,充电电路由一个电压源和薄膜电容组成,进行浪涌测试之前,对薄膜电容进行充电,充电过程由充电电路进行;浪涌电流产生电路由薄膜电容和一个电感L组成,并产生正弦电流,被测器件为SiCMOSFET;驱动电路是对被测器件SiC MOSFET进行开通和关断。