科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明属于微电子技术领域,特别涉及一种氮化镓的生长方法,主要解决现有技术中外延生长氮化镓材料质量差的问题。其实现方案是：1)在硅片上通过微波等离子体化学气相淀积MPCVD生长金刚石衬底；2)通过金属有机物化学气相淀积MOCVD方法在金刚石衬底上生长六方氮化硼过渡层；3)采用光刻与刻蚀工艺对六方氮化硼过渡层进行图形化；4)采用电化学沉积方法在图形化的六方氮化硼过渡层上沉积氮化铝；5)采用金属有机物化学气相淀积MOCVD方法在覆盖了图形化的六方氮化硼和氮化铝的金刚石衬底上依次外延生长低温氮化镓层和高温氮化镓层。本发明提高了氮化镓材料的质量,可用于制作氮化镓薄膜及其器件。
- 单位
