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摘要
本发明公开了一种晶圆级自支撑CdTe薄膜的制备方法,包括以下步骤：提供二维材料/蓝宝石基板；在二维材料/蓝宝石基板表面生长CdTe薄膜；通过热释放胶带剥离的方法使CdTe/二维材料从蓝宝石基板表面分离；通过加热去除热释放胶带的粘性,可获得高质量自支撑CdTe薄膜。该方法利用蓝宝石基板与CdTe薄膜间存在良好的晶格匹配,并利用二维材料作为过渡层,避免蓝宝石表面的悬挂键与CdTe薄膜键合,通过分子束外延系统生长CdTe薄膜,再利用热释放胶带从基板上剥离CdTe薄膜,最后加热除去胶带粘性以获得自支撑CdTe薄膜。本发明制备的自支撑CdTe薄膜可以广泛兼容于硅基电子器件,并在柔性可穿戴电子器件等方面具有较大应用价值。
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