脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO_3薄膜及其微观结构研究

作者：张亦文; 李效民; 赵俊亮; 于伟东; 高相东; 吴峰

来源：无机材料学报, 2008, (03): 531-534.

• 脉冲激光沉积法
• SrTiO_3薄膜
• 缓冲层
• 结晶度 pulsed laser deposition
• SrTiO_3 film
• buffer layer
• crystallinity

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrIn_xTi_(1-x)O_3(x=0、0.1、0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO_3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能、表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称性降低.

• 单位
  中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院研究生院; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室