氧分压对溅射制备氧化镓薄膜结构及光学带隙的影响

作者：马海林; 苏庆

来源：Acta Physica Sinica, 2014, 63(11): 238-242.

• 氧化镓
• 光学带隙
• 磁控溅射

在不同氧分压η(η=O2/[Ar+O2])实验条件下,通过直流反应溅射制备了氧化镓薄膜,然后在真空环境下进行高温再结晶热处理.用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)研究了氧分压η对光学带隙Eg的影响.X射线衍射(XRD)和共聚焦拉曼散射光谱(Raman Scattering)分析显示:经900℃高温热处理后,薄膜呈结晶β相氧化镓,且晶粒尺寸随着氧分压的逐渐增加而变大.室温下由UV-Vis测试薄膜透过率并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙Eg在4.68—4.85 eV之间,且随氧分压η的逐渐增加而变大.

• 单位
  兰州交通大学; 国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心