具有丰富硫空位的强吸光Cu2S/CuCl异质阵列的构筑及其在光充电赝电容中的应用(英文)

作者：朱挺^*; 何智良; 安致宇; 徐睿瞳; 李阳光; 者荣杰; 王洪恩^*; 庞欢^*

来源：Science China-Materials, 2023, 66(06): 2216-2226.

拓宽材料对光子的吸收是利用太阳光能的关键.然而,要平衡电极材料对光的最大化吸收与存储是当前光电极材料的设计难点.本文报道了一种具有丰富硫空位的Cu2S/CuCl异质阵列材料,该材料中CuCl与硫空位的存在增加了其对光子的捕获与转化.同时,Cu2S/CuCl异质结增加了材料的导电性能,促进了电子的传输效率.当作为赝电容的电极材料时,该Cu2S/CuCl双功能材料的光照下容量提升比率高达35%.同时,由该材料制成的非对称电容器循环测试6000次之后的面积比容量可依旧维持在670 mF cm-2.该Cu2S/CuCl材料具有优异的光电化学性能,在下一代光辅助充电储能器件的应用领域展示出巨大前景.

• 单位
  中南大学