基于GaN HEMT的高效率Doherty功率放大器设计

作者：杨章; 和新阳; 杨飞

来源：固体电子学研究与进展, 2017, 37(03): 187-190+200.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.03.009

• 功率配置
• Doherty功放
• 效率空间
• 氮化镓

对影响Doherty功放回退效率的因素进行了分析,从输入功率配置、载波功放与峰值功放栅压以及相位平衡等多重角度进行了仿真,并基于此讨论了DPA（Doherty power amplifier）输出功率回退点的效率空间,从该效率空间出发,可以选择合适的功率配置和栅偏压进行功放的设计。基于GaN HEMT器件对所设计的电路进行了加工、装配和测试。测试结果显示:在2.25GHz时,峰值效率为59%,输出功率为43.7dBm;输出在饱和点回退2dB时的效率为51%。

• 单位
  中国空间技术研究院