科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
二维硅烯的商业用途通常受到其零带隙的抑制，限制了其在纳米电子和光电器件中的应用.利用基于密度泛函理论的第一性原理计算，单层硅烯的带隙通过卤原子的化学官能化被成功打开了，并综合分析了卤化对单层硅烯的结构，电子和光学性质的影响.研究结果表明卤化使结构变得扭曲，但保持了良好的稳定性.通过HSE06泛函，全功能化赋予硅烯1.390至2.123 eV的直接带隙.键合机理分析表明，卤原子与主体硅原子之间的键合主要是离子键.最后，光学性质计算表明，I-Si-I单层在光子频率为10.9 eV时达到最大光吸收，吸收值为122000 cm-1,使其成为设计新型纳米电子和光电器件的有希望的候选材料.
- 单位
