一种二次外延结构的GaN基JBS二极管及其制备方法

作者：张苇杭; 文钰; 张进成; 冯欣; 刘志宏; 郝跃

来源：2023-02-22, 中国, CN202310151871.2.

本发明提供了一种二次外延结构的GaN基JBS二极管及其制备方法,主要解决GaN基JBS二极管中难以制备高质量p型GaN导致的低耐压、高导通电阻等问题。其包括衬底,缓冲层,n～+-GaN层,n～--GaN漂移层,p-InGaN/i-InGaN/i-GaN二次外延区域,阴极,钝化层,阳极。通过二次外延p-InGaN/i-InGaN/i-GaN材料,极化产生高浓度的二维空穴气,获得高质量的p型三族氮化物材料,实现高性能的GaN基JBS二极管。本发明可显著提升GaN基JBS二极管的反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,可广泛应用于功率开关和整流。

• 单位
  西安电子科技大学