掺杂对MoS_2吸附H_2的电子结构影响

作者：姜艳; 刘贵立; 王天爽; 韩晶晶; 王佼; 沈杰

来源：物理与工程, 2021, 1-6.

• 掺杂
• 吸附
• MoS2
• 电子结构

本文应用Materials Studio软件对MoS2分别进行了Si、O、N原子的替换掺杂,以探究掺杂和吸附对MoS2材料的电子结构的影响。研究发现:稳定性由强到弱依次为:O-MoS2-H2,MoS2-H2,N-MoS2-H2,Si-MoS2-H2,即O-MoS2-H2的形成能最低,为相对最稳定的结构;掺杂后体系的成键形式更有可能为离子键;吸附和掺杂均能影响MoS2电子结构,MoS2-H 2,O-MoS2-H 2,Si-MoS2-H2能隙值处于0-2.0e V之间,体系表现为半导体性,N-MoS2-H2能隙值为0e V,体系表现为金属性;掺杂体系中总态密度主要是S,Mo态电子贡献,掺杂原子相比S,Mo态电子贡献很少,且O,N,Si态电子贡献程度依次降低。

• 单位
  沈阳工业大学; 北京工业职业技术学院; 贺州学院