一种实现薄膜晶体管防护的制备方法

作者：宁洪龙; 刘泰江; 姚日晖; 钟锦耀; 邹文昕; 吴振宇; 张康平; 郭晨潇; 付钰斌; 彭俊彪

来源：2021-12-24, 中国, CN202111600699.1.

本发明公开了一种实现薄膜晶体管防护的制备方法。本发明先在有源层上方旋涂一层较薄的阻挡层,然后通过一种打印刻蚀的方式,利用导电墨水的溶剂对阻挡层进行定位刻蚀,在外向马朗格尼流动下,绝缘的阻挡层溶质被迁移到外围,而中心形成了较薄且均匀平坦的电极层,进而改善了有源层与导电层之间的界面接触,同时实现了TFT器件的有效防护,工艺简单、耗时短且适于大面积制备。

• 单位
  华南理工大学