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摘要
以板式PECVd设备维护后的初期在多晶硅片表面镀的氮化硅薄膜为研究对象,分析了其膜厚、折射率、腐蚀速率等数据,以及此种镀膜情况下制备的多晶硅太阳电池的电性能。结果表明:在设备维护后初期(约1h)镀制的氮化硅薄膜,随着时间的推移,氮化硅薄膜的膜厚不断下降,折射率随之上升,二者分别从第48 min和第56 min开始趋于稳定;将采用设备维护后64 min内制备的氮化硅薄膜的太阳电池的电性能与采用设备维护前64 min内制备的氮化硅薄膜的太阳电池的电性能进行对比后发现,前者的光电转换效率比后者的低0.05%,且设备维护后初期时制备的氮化硅薄膜的腐蚀速率偏高。通过监控角阀开度曲线,待角阀开度绝对值在中心值上下1%的范围内波动后再进行生产,可以避免设备维护后初期镀膜生产的太阳电池不良品的产生,对提高生产线良品率具有一定的指导意义。
